DTC143ZKAT146、FJV3101RMTF、SMMUN2233LT1G对比区别

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型号 DTC143ZKAT146 FJV3101RMTF SMMUN2233LT1G

描述 NPN 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.Fairchild Semiconductor### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ON SEMICONDUCTOR  SMMUN2233LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23 新

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

额定功率 0.2 W - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW - 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 20 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 246 mW

直流电流增益(hFE) 80 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz - -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 400 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

长度 2.9 mm 2.92 mm -

宽度 1.6 mm 1.3 mm -

高度 1.1 mm 0.93 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR