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FJV3101RMTF

FJV3101RMTF

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Fairchild Semiconductor### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 4.7KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 20 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.2W/200mW Description & Applications | Features • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=4.7KΩ, R2=4.7KΩ • Complement to FJV4101R 描述与应用 | 特性 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路 •内置偏置电阻（R1=4.7KΩ，R2=4.7KΩ） •FJV4101R的补充

FJV3101RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJV3101RMTF引脚图与封装图
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在线购买FJV3101RMTF
型号 制造商 描述 购买
FJV3101RMTF Fairchild 飞兆/仙童 Fairchild Semiconductor ### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 搜索库存
替代型号FJV3101RMTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FJV3101RMTF

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： SOT-23 NPN 50V 100mA

当前型号

Fairchild Semiconductor### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

当前型号

型号： MMUN2233LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2233LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23

FJV3101RMTF和MMUN2233LT1G的区别

型号： MMUN2232LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2232LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

FJV3101RMTF和MMUN2232LT1G的区别

型号： DTC143ZKAT146

品牌： 罗姆半导体

封装： 3SMT NPN 50V 100mA 200mW

功能相似

NPN 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

FJV3101RMTF和DTC143ZKAT146的区别