STD30NF06T4、STP60NF06、IRFR1205PBF对比区别

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型号 STD30NF06T4 STP60NF06 IRFR1205PBF

描述 STMICROELECTRONICS  STD30NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V55V,0.027Ω,44A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 55.0 V

额定电流 28.0 A 60.0 A 37.0 A

漏源极电阻 0.02 Ω 0.016 Ω 20 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 110 W 107 W

产品系列 - - IRFR1205

阈值电压 4 V 2 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 55.0 V

连续漏极电流(Ids) 28.0 A 60.0 A 44.0 A

上升时间 100 ns 108 ns 69.0 ns

输入电容(Ciss) 1750pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 110 W 107 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

下降时间 20 ns 20 ns -

耗散功率(Max) 70W (Tc) 110W (Tc) -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

长度 6.6 mm 10.4 mm -

宽度 6.2 mm 4.6 mm -

高度 2.4 mm 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 -