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STD30NF06T4

STD30NF06T4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD30NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 60 V 28A(Tc) 70W(Tc) DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK


贸泽:
MOSFET N-channel 60 V


艾睿:
This STD30NF06T4 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet ii technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD30NF 系列 N 沟道 30 V 2O mΩ 28 A 43 nC STripFET II 功率 MosFet - TO-252


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD30NF06T4  MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK


STD30NF06T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 28.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 28.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 1750pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD30NF06T4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD30NF06T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD30NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STD30NF06T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD30NF06T4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 60V 28A 20mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD30NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: STP55NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

类似代替

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STD30NF06T4和STP55NF06的区别

型号: STP60NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

STD30NF06T4和STP60NF06的区别

型号: STB55NF06T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms

类似代替

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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