IPI65R310CFD、IPI65R310CFDXKSA1、SPI15N60CFD对比区别

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型号 IPI65R310CFD IPI65R310CFDXKSA1 SPI15N60CFD

描述 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装INFINEON  SPI15N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 310 mΩ - 0.28 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 104.2 W 104.2W (Tc) 156 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 11.4A 11.4A 13.4 A

上升时间 7.5 ns 7.5 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 1820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 104.2 W - 156 W

下降时间 7 ns 7 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 1 - -

漏源击穿电压 650 V - -

耗散功率(Max) 104.2 W 104.2W (Tc) -

额定功率 - 104.2 W -

长度 10.2 mm 10.2 mm 10.2 mm

宽度 4.5 mm 4.5 mm 4.5 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17