IPI65R310CFD
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPI65R310CFD中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 310 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 104.2 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 11.4A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 104.2 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104.2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPI65R310CFD引脚图与封装图
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在线购买IPI65R310CFD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI65R310CFD | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
替代型号IPI65R310CFD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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