额定功率 104.2 W
极性 N-CH
耗散功率 104.2W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.4A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104.2W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPI65R310CFDXKSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-262-3 N-CH 700V 11.4A | 当前型号 | Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | 当前型号 | |
型号: SPI15N60CFD 品牌: 英飞凌 封装: TO-262-3 N-Channel 600V 13.4A | 类似代替 | INFINEON SPI15N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V | IPI65R310CFDXKSA1和SPI15N60CFD的区别 | |
型号: IPI65R310CFD 品牌: 英飞凌 封装: I2PAK-3 N-CH 700V 11.4A | 类似代替 | Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPI65R310CFDXKSA1和IPI65R310CFD的区别 | |
型号: SPI15N60CFDHKSA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-262 N-CH 600V 13.4A | 功能相似 | TO-262 N-CH 600V 13.4A | IPI65R310CFDXKSA1和SPI15N60CFDHKSA1的区别 |