FDD86102、STD40NF10、PSMN025-100D,118对比区别

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型号 FDD86102 STD40NF10 PSMN025-100D,118

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 VNXP  PSMN025-100D,118  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.019 Ω 0.025 Ω 0.022 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 62 W 125 W 150 W

阈值电压 3.1 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 8A 50A 47.0 A

上升时间 3 ns 46 ns 72 ns

输入电容(Ciss) 1035pF @50V(Vds) 2180pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 125 W 150 W

下降时间 2.9 ns 13 ns 58 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 62 W 125W (Tc) 150W (Tc)

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17