PSMN025-100D,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN025-100D,118中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
上升时间 72 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 58 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN025-100D,118引脚图与封装图
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在线购买PSMN025-100D,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN025-100D,118 | NXP 恩智浦 | NXP PSMN025-100D,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号PSMN025-100D,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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