IRFP2907PBF、IRFP4368PBF、AUIRFP2907对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFP2907PBF IRFP4368PBF AUIRFP2907

描述 INFINEON  IRFP2907PBF  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFP4368PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 350 A, 75 V, 0.00146 ohm, 20 V, 4 VN 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 330 W 520 W 470 W

通道数 1 1 1

漏源极电阻 4.5 mΩ 0.00146 Ω 0.0036 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 470 W 520 W 470 W

阈值电压 4 V 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 209A 350A 209A

上升时间 190 ns 220 ns 190 ns

输入电容(Ciss) 13000pF @25V(Vds) 19230pF @50V(Vds) 13000pF @25V(Vds)

下降时间 130 ns 260 ns 130 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 470W (Tc) 520W (Tc) 470W (Tc)

针脚数 3 3 -

输入电容 13000 pF 19230 pF -

漏源击穿电压 75 V 75 V -

额定功率(Max) 470 W 520 W -

长度 15.87 mm 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.3 mm 5.31 mm 5.31 mm

高度 20.3 mm 20.7 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -