额定功率 520 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.00146 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 520 W
阈值电压 4 V
输入电容 19230 pF
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 350A
上升时间 220 ns
输入电容Ciss 19230pF @50VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 260 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Push-Pull, Battery Operated Drive, Consumer Full-Bridge, 电源管理, Full-Bridge
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
IRFP4368PBF引脚图
IRFP4368PBF封装图
IRFP4368PBF封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFP4368PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFP4368PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 A, 75 V, 0.00146 ohm, 20 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFP4368PBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 75V 350A | 当前型号 | INFINEON IRFP4368PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 A, 75 V, 0.00146 ohm, 20 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IRFP2907PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 75V 209A | 类似代替 | INFINEON IRFP2907PBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V | IRFP4368PBF和IRFP2907PBF的区别 | |
型号: IRFP3077PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 60V 160A | 类似代替 | INFINEON IRFP3077PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0028 ohm, 20 V, 4 V | IRFP4368PBF和IRFP3077PBF的区别 |