额定功率 330 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 4.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 470 W
阈值电压 4 V
输入电容 13000 pF
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 209A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 13000pF @25VVds
额定功率Max 470 W
下降时间 130 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 470W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.3 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRFP2907PBF引脚图
IRFP2907PBF封装图
IRFP2907PBF封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFP2907PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFP2907PBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFP2907PBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 75V 209A | 当前型号 | INFINEON IRFP2907PBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IRFP4368PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 75V 350A | 类似代替 | INFINEON IRFP4368PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 A, 75 V, 0.00146 ohm, 20 V, 4 V | IRFP2907PBF和IRFP4368PBF的区别 | |
型号: AUIRFP2907 品牌: 英飞凌 封装: TO-247AC N-Channel 75V 209A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFP2907PBF和AUIRFP2907的区别 | |
型号: IRFP2907 品牌: 英飞凌 封装: TO-247AC N-CH 80V 209A | 功能相似 | TO-247AC N-CH 80V 209A | IRFP2907PBF和IRFP2907的区别 |