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BSR33,115、BSR33,135、BSR33TA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSR33,115 BSR33,135 BSR33TA

描述 NXP  BSR33,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 100 hFESOT-89 PNP 80V 1ABSR33TA 编带

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3

频率 100 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) - - -80.0 V

额定电流 - - -1.00 A

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1.35 W 1350 mW 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 5V 100 @100mA, 5V 100 @100mA, 5V

额定功率(Max) 1.35 W 1.35 W 1 W

直流电流增益(hFE) 100 - 100

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1350 mW 1350 mW 1000 mW

针脚数 3 - -

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3

长度 4.6 mm - -

宽度 2.6 mm - -

高度 1.6 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99