BSR33,135
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSR33,135中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1350 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 1.35 W
耗散功率Max 1350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSR33,135引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSR33,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSR33,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-89-3 PNP 1350mW | 当前型号 | SOT-89 PNP 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： BSR33,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT266 PNP 1350mW | 类似代替 | NXP BSR33,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 100 hFE | BSR33,135和BSR33,115的区别 |