BSR33,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BSR33,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 1.35 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 1.35 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSR33,115引脚图与封装图
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在线购买BSR33,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSR33,115 | NXP 恩智浦 | NXP BSR33,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号BSR33,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSR33,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT266 PNP 1350mW | 当前型号 | NXP BSR33,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： BSR33,135 品牌： 恩智浦 封装： SOT-89-3 PNP 1350mW | 类似代替 | SOT-89 PNP 80V 1A | BSR33,115和BSR33,135的区别 |
| 型号： BC846,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 0.25W | 功能相似 | NPN 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | BSR33,115和BC846,215的区别 |
| 型号： BSR33TA 品牌： 美台 封装： SOT-89-3 PNP 80V 1A 2100mW | 功能相似 | BSR33TA 编带 | BSR33,115和BSR33TA的区别 |