NSVMUN2212T1G、PDTC124EK,115、UNR5212G0L对比区别
型号 NSVMUN2212T1G PDTC124EK,115 UNR5212G0L
描述 数字晶体管( BRT ) R1 = 22千欧, R2 = 22 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7SMini3-G1 NPN 50V 100mA
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Panasonic (松下)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SC-59-3 SOT-23-3 SC-85
引脚数 3 - -
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V
额定功率(Max) 230 mW 250 mW 150 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
无卤素状态 Halogen Free - -
耗散功率 0.338 W - -
耗散功率(Max) 338 mW - -
长度 - 3.1 mm -
宽度 - 1.7 mm -
高度 - 1.2 mm -
封装 SC-59-3 SOT-23-3 SC-85
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -