FDA16N50、STW20NK50Z、STD6N95K5对比区别

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型号 FDA16N50 STW20NK50Z STD6N95K5

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-252-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 380 mΩ 0.23 Ω 1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 205W (Tc) 190 W 90 W

阈值电压 - 3.75 V 4 V

输入电容 1.94 nF 2600 pF 450 pF

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 950 V

连续漏极电流(Ids) 16.5 A 17.0 A 9A

上升时间 150 ns 20 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 1945pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 205 W 190 W 90 W

下降时间 - 15 ns 21 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 205W (Tc) 190W (Tc) 90W (Tc)

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 16.5 A 17.0 A -

栅电荷 45.0 nC - -

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

额定功率 - 190 W -

通道数 - 1 -

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-252-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99