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TIP29CG、TIP32A、TIP29C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP29CG TIP32A TIP29C

描述 ON SEMICONDUCTOR  TIP29CG.  射频双极晶体管STMICROELECTRONICS  TIP32A  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 W, 3 A, 25 hFESTMICROELECTRONICS  TIP29C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 30 W, 1 A, 75 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz - -

额定电压(DC) 100 V -60.0 V 100 V

额定电流 1.00 A -3.00 A 1.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN Dual N-Channel, Dual P-Channel, P-Channel NPN

耗散功率 30 W 2 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 60 V 100 V

热阻 4.167℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 10 @3A, 4V 15 @1A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 75 25 75

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 30 W 2000 mW 2000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 75

长度 10.28 mm - 10.4 mm

宽度 4.82 mm - 4.6 mm

高度 15.75 mm - 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/06/16

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 -