DMG3413L-7、TT8U1TR、TT8U2TCR对比区别

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型号 DMG3413L-7 TT8U1TR TT8U2TCR

描述 DMG3413L 系列 20 V 95 mOhm P沟道 增强模式 Mosfet -SOT-23-3TSST P-CH 20V 2.4ATSST P-CH 20V 2.4A

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 8 -

封装 SOT-23-3 TSST-8 TSST-8

极性 P-CH P-CH P-CH

耗散功率 1.3 W 1 W 1.25W (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3A 2.4A 2.4A

输入电容(Ciss) 857pF @10V(Vds) 850pF @10V(Vds) 850pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 1 W -

耗散功率(Max) 700mW (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 80 mΩ -

漏源击穿电压 - 20 V -

上升时间 - 25 ns -

下降时间 - 45 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 SOT-23-3 TSST-8 TSST-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

香港进出口证 NLR - -

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -