极性 P-CH
耗散功率 1.25W Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.4A
输入电容Ciss 850pF @10VVds
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 TSST-8
封装 TSST-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TT8U2TCR 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TSST P-CH 20V 2.4A | 当前型号 | TSST P-CH 20V 2.4A | 当前型号 | |
型号: TT8U1TR 品牌: 罗姆半导体 封装: TSST-8 P-CH 20V 2.4A | 类似代替 | TSST P-CH 20V 2.4A | TT8U2TCR和TT8U1TR的区别 | |
型号: DMG3413L-7 品牌: 美台 封装: TO-236-3 P-CH 20V 3A | 功能相似 | DMG3413L 系列 20 V 95 mOhm P沟道 增强模式 Mosfet -SOT-23-3 | TT8U2TCR和DMG3413L-7的区别 |