TT8U1TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
TT8U1TR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 80 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.4A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 850pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSST-8
外形尺寸
封装 TSST-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TT8U1TR引脚图与封装图 
TT8U1TR引脚图
TT8U1TR封装图
TT8U1TR封装焊盘图
替代型号TT8U1TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TT8U1TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSST-8 P-CH 20V 2.4A | 当前型号 | TSST P-CH 20V 2.4A | 当前型号 |
| 型号： TT8U2TCR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSST P-CH 20V 2.4A | 类似代替 | TSST P-CH 20V 2.4A | TT8U1TR和TT8U2TCR的区别 |
| 型号： DMG3413L-7 品牌： 美台 封装： TO-236-3 P-CH 20V 3A | 功能相似 | DMG3413L 系列 20 V 95 mOhm P沟道 增强模式 Mosfet -SOT-23-3 | TT8U1TR和DMG3413L-7的区别 |