MBD101G、MBD301、MBD101对比区别

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型号 MBD101G MBD301 MBD101

描述 肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes硅热载流子探测器和开关二极管 SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES硅肖特基势垒二极管 SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 RF二极管RF二极管RF二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 TO-226-2 TO-92 TO-226-2

额定电压(DC) 7.00 V 30.0 V 7.00 V

额定电流 90.0 mA 10.0 A 90.0 mA

输出电流 ≤70.0 mA ≤100 mA ≤70.0 mA

正向电压 600 mV - -

极性 Standard Standard Standard

耗散功率 280 mW 280 mW 280 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 280 mW - 280 mW

电容 - 1.50 pF -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

长度 5.21 mm - 5.21 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-2 TO-92 TO-226-2

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead