MBD101G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 7.00 V
额定电流 90.0 mA
输出电流 ≤70.0 mA
正向电压 600 mV
极性 Standard
耗散功率 280 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 280 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-226-2
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-2
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBD101G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MBD101G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBD101G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes | 当前型号 |
| 型号： MBD101 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | 硅肖特基势垒二极管 SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES | MBD101G和MBD101的区别 |
| 型号： MBD301 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 硅热载流子探测器和开关二极管 SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES | MBD101G和MBD301的区别 |