FQAF5N90、FQPF6N90C对比区别

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型号 FQAF5N90 FQPF6N90C

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF6N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 SC-94 TO-220-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 2.30 Ω 1.93 Ω

耗散功率 90W (Tc) 56 W

阈值电压 - 5 V

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

上升时间 - 90 ns

输入电容(Ciss) 1550pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 56 W

下降时间 - 60 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 56W (Tc)

额定电压(DC) 900 V -

额定电流 4.10 A -

极性 N-Channel N-Channel

漏源击穿电压 900 V 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.10 A 6.00 A

通道数 - 1

长度 - 10.16 mm

宽度 - 4.7 mm

高度 - 9.19 mm

封装 SC-94 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99