FQAF5N90
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQAF5N90中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 4.10 A
漏源极电阻 2.30 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90W Tc
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.10 A
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
额定功率Max 90 W
耗散功率Max 90W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SC-94
外形尺寸
封装 SC-94
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQAF5N90引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQAF5N90
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQAF5N90 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SC-94 N-Channel 900V 4.1A 2.3Ω | 当前型号 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQPF6N90C 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-Channel 900V 6A 2.3ohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 V | FQAF5N90和FQPF6N90C的区别 |