FQPF6N90C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
晶体管
FQPF6N90C中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.93 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 56 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 1770pF @25VVds
额定功率Max 56 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF6N90C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQPF6N90C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF6N90C | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FQPF6N90C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF6N90C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-Channel 900V 6A 2.3ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： STP6NK90ZFP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 900V 5.8A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP6NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V | FQPF6N90C和STP6NK90ZFP的区别 |
| 型号： FQAF5N90 品牌： 飞兆/仙童 封装： SC-94 N-Channel 900V 4.1A 2.3Ω | 功能相似 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | FQPF6N90C和FQAF5N90的区别 |