STB120N4F6、STB95N3LLH6、IRF2204SPBF对比区别
型号 STB120N4F6 STB95N3LLH6 IRF2204SPBF
描述 N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。Trans MOSFET N-CH 40V 170A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 170 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 4 mΩ 0.0037 Ω 3.6 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 70 W 200 W
产品系列 - - IRF2204S
阈值电压 4 V 1 V 4 V
输入电容 - - 5890pF @25V
漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 170 A
上升时间 70 ns 91 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 3850pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5890pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W - 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
漏源击穿电压 40 V - -
下降时间 20 ns 23.4 ns -
耗散功率(Max) 110 W 70W (Tc) -
长度 10.4 mm 10.75 mm 10.67 mm
高度 4.6 mm 4.6 mm 4.576 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 9.35 mm 10.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -