FDD8586、FDU8586、STD60N3LH5对比区别

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型号 FDD8586 FDU8586 STD60N3LH5

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 5.5mOHM N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHMN沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 5.5mOHM N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHMSTMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 4.00 mΩ 4 mΩ 7.6 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 77 W 77 W 60 W

阈值电压 - - 1.8 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A 24.0 A

上升时间 11.0 ns 11 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 2480pF @10V(Vds) 2480pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 77 W 77 W 60 W

下降时间 - 25 ns 4.2 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 77W (Tc) 77W (Tc) 60W (Tc)

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 35.0 A 35.0 A -

输入电容 2.48 nF 2.48 nF -

栅电荷 48.0 nC 48.0 nC -

漏源击穿电压 20.0 V 20 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

通道数 - 1 -

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 16.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -