FDD8586
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD8586中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 35.0 A
漏源极电阻 4.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 77 W
输入电容 2.48 nF
栅电荷 48.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 11.0 ns
输入电容Ciss 2480pF @10VVds
额定功率Max 77 W
耗散功率Max 77W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD8586引脚图与封装图
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在线购买FDD8586
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD8586 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 5.5mOHM N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM | 搜索库存 |
替代型号FDD8586
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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