BCW66GLT1G、BCW66GLT3G、BC817-40-7-F对比区别

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型号 BCW66GLT1G BCW66GLT3G BC817-40-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFEPNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管DIODES INC.  BC817-40-7-F  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V - -

额定电流 800 mA - -

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 330 mW 0.3 W 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 310 mW

直流电流增益(hFE) 60 - 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 225 mW 310 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

宽度 - 2.64 mm 1.4 mm

高度 - 1.11 mm 0.98 mm

长度 - 3.04 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99