BCW66GLT3G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BCW66GLT3G引脚图与封装图
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在线购买BCW66GLT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW66GLT3G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号BCW66GLT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW66GLT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 0.3W | 当前型号 | PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
| 型号： BCW66GLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 800mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE | BCW66GLT3G和BCW66GLT1G的区别 |
| 型号： SBCW66GLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 300mW | 类似代替 | SOT-23 NPN 45V 0.8A | BCW66GLT3G和SBCW66GLT1G的区别 |
| 型号： BCW66G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 350mW | 类似代替 | ON Semiconductor BCW66G , NPN 晶体管, 1 A, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | BCW66GLT3G和BCW66G的区别 |