C2012X5R1H475K125AB、GRM21BR61H475KE51L、C2012X5R1C475K125AC对比区别

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型号 C2012X5R1H475K125AB GRM21BR61H475KE51L C2012X5R1C475K125AC

描述 TDK  C2012X5R1H475K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制]Murata GRM 0805 X5R、X7R 和 Y5V 电介质Murata GRM 系列高介电常数类型尺寸小，电容值大，采用多层结构 高可靠性，无极性 通过在外部电极镀锡实现出色的可焊接性 去耦平滑电路和高于 200V 额定电压的钳减震器电路中的应用 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。TDK  C2012X5R1C475K125AC  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 16 V, 0805 [2012 公制]

数据手册 ---

制造商 TDK (东电化) muRata (村田) TDK (东电化)

分类 陶瓷电容陶瓷电容陶瓷电容

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

引脚数 - - 2

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 16.0 V

绝缘电阻 10 GΩ - -

电容 4.7 µF 4.7 µF 4.7 µF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

电介质特性 X5R X5R X5R

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

精度 ±10 % ±10 % -

额定电压 50 V 50 V 16 V

产品系列 - GRM -

长度 2 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

厚度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

材质 X5R/-55℃~+85℃ X5R/-55℃~+85℃ X5R/-55℃~+85℃

介质材料 Ceramic Multilayer - Ceramic Multilayer

工作温度 -55℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 85℃

温度系数 ±15 % ±15 % ±15 %

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 3000 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

HTS代码 8532240020 - 8532240020