额定电压DC 50.0 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X5R
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
精度 ±10 %
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
材质 X5R/-55℃~+85℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 85℃
温度系数 ±15 %
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
制造应用 工业, 医用, Industrial, 通用, 消费电子产品, 便携式器材, for Automotive use., 电源管理, Consumer Electronics, Power Management, Please refer to Part No., 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑, Portable Devices, Commercial Grade
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8532240020
C2012X5R1H475K125AB引脚图
C2012X5R1H475K125AB封装图
C2012X5R1H475K125AB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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C2012X5R1H475K125AB | TDK 东电化 | TDK C2012X5R1H475K125AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制] | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: C2012X5R1H475K125AB 品牌: TDK 东电化 封装: 2012 4.7uF 50V 10per | 当前型号 | TDK C2012X5R1H475K125AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制] | 当前型号 | |
型号: CGA4J3X5R1H475K125AB 品牌: 东电化 封装: 0805 4.7uF 50V 10per | 完全替代 | TDK CGA4J3X5R1H475K125AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制] | C2012X5R1H475K125AB和CGA4J3X5R1H475K125AB的区别 | |
型号: GRM21BR61H475KE51L 品牌: 村田 封装: 0805 4.7uF 50V 10per | 类似代替 | Murata GRM 0805 X5R、X7R 和 Y5V 电介质Murata GRM 系列高介电常数类型尺寸小,电容值大,采用多层结构 高可靠性,无极性 通过在外部电极镀锡实现出色的可焊接性 去耦平滑电路和高于 200V 额定电压的钳减震器电路中的应用 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是温度补偿的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 | C2012X5R1H475K125AB和GRM21BR61H475KE51L的区别 | |
型号: C2012X5R1H475KT 品牌: 东电化 封装: 0805 4.7µF ±10% 50V X5R | 类似代替 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X5R, 15% TC, 4.7uF, Surface Mount, 0805, CHIP, LEAD FREE | C2012X5R1H475K125AB和C2012X5R1H475KT的区别 |