DS1270W-100、DS1270W-100#、DS1270W-100IND#对比区别

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型号 DS1270W-100 DS1270W-100# DS1270W-100IND#

描述 IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIPNon-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

引脚数 36 - -

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 100 GHz - -

内存容量 2000000 B - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

长度 53.34 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 10.29 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 无铅