锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC856BW-7-F、BC856BWT1G、BC 856BW E6433对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BW-7-F BC856BWT1G BC 856BW E6433

描述 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/RON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V 10.0 V

电容 - - 1.50 pF

耗散功率 0.2 W 150 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

频率 200 MHz 100 MHz -

额定电流 -100 mA -100 mA -

耗散功率(Max) 200 mW 150 mW -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

直流电流增益(hFE) - 150 -

长度 - 2.2 mm 2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.25 mm

高度 - 0.9 mm 0.9 mm

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -