FDG6301N、NTJD5121NT1G、NTJD4001NT1G对比区别

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型号 FDG6301N NTJD5121NT1G NTJD4001NT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6301N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mVON SEMICONDUCTOR  NTJD5121NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 VON SEMICONDUCTOR  NTJD4001NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SOT-363 SC-70-6

额定电压(DC) 25.0 V - 30.0 V

额定电流 220 mA - 250 mA

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 4 Ω 1 Ω 1 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 300 mW 266 mW 272 mW

阈值电压 850 mV 1.7 V 1.2 V

输入电容 9.50 pF - 20pF @5V

栅电荷 290 pC - -

漏源极电压(Vds) 25 V 60 V 30 V

漏源击穿电压 25.0 V - 30 V

栅源击穿电压 8.00 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 220 mA 330 mA, 295 mA 250 mA

上升时间 4.5 ns 34 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 9.5pF @10V(Vds) 26pF @20V(Vds) 33pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 250 mW 272 mW

下降时间 3.2 ns 32 ns 82 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.3 W 266 mW 2.72 W

正向电压(Max) - 1.2 V -

长度 2 mm 2.2 mm 2.2 mm

宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.35 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SOT-363 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99