NTJD4001NT1G
数据手册.pdfON SEMICONDUCTOR NTJD4001NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 250mA/0.25A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2.5Ω@ VGS =2.5V, ID =10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.8~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 272mW/0.272W Description & Applications| Small Signal MOSFET Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • Pb−Free Package for Green Manufacturing G Suffix Applications • Low Side Load Switch • Li−Ion Battery Supplied Devices − Cell Phones, PDAs, DSC • Buck Converters • Level Shifts 描述与应用| 小信号MOSFET 特点 •低栅极电荷快速开关 • 小低印-30％小于TSOP-6 •ESD保护门 •面向绿色制造的无铅封装（G后缀） 应用 •低端负荷开关 •锂离子电池提供的设备 - 手机，掌上电脑，数码相机 •降压转换器 •电平转换