JANTXV2N5663、NTE2347、MPS6652G对比区别

高亮显示差异参数

型号 JANTXV2N5663 NTE2347 MPS6652G

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNTE ELECTRONICS  NTE2347  双极性晶体管, NPN, 80V, TO-39ON SEMICONDUCTOR  MPS6652G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-5 TO-39 TO-226-3

极性 NPN NPN PNP, P-Channel

耗散功率 1 W 1 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 300 V - 40 V

集电极最大允许电流 2A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @500mA, 5V - 50 @500mA, 1V

额定功率(Max) 1 W - 625 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 625000 mW

额定电压(DC) - 80.0 V -40.0 V

额定电流 - 5.00 A -1.00 A

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 40 100

频率 - - 100 MHz

封装 TO-5 TO-39 TO-226-3

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bag - Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

HTS代码 - 85412900951 -