JANTXV2N5663
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N5663中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 25 @500mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTXV2N5663引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N5663
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5663 | Microsemi 美高森美 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N5663
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N5663 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 NPN | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： NTE2347 品牌： NTE Electronics 封装： TO-39 NPN 80V 5A | 类似代替 | NTE ELECTRONICS NTE2347 双极性晶体管, NPN, 80V, TO-39 | JANTXV2N5663和NTE2347的区别 |
| 型号： 2SD1898T100R 品牌： 罗姆半导体 封装： MPT3 NPN 80V 1A 2W | 功能相似 | NPN 功率晶体管，ROHM### 双极晶体管，ROHM | JANTXV2N5663和2SD1898T100R的区别 |
| 型号： 2SD1664T100R 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-89 NPN 32V 1A 500mW | 功能相似 | 中等功率晶体管（ 32V ， 1A ） Medium Power Transistor 32V, 1A | JANTXV2N5663和2SD1664T100R的区别 |