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MJD112RLG、MJD112T4G、MJD112RL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD112RLG MJD112T4G MJD112RL

描述 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD112T4G.  达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 2.00 A 2.00 A 2.00 A

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W 1750 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数(hFE) 12000 12000 -

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) 12000 12 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.38 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -