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MSD42SWT1、MSD42SWT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSD42SWT1 MSD42SWT1G

描述 NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage TransistorNPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3

额定电压(DC) 300 V 300 V

额定电流 150 mA 150 mA

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1mA, 10V 25 @1mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW

耗散功率 - 150 mW

封装 SC-70-3 SC-70-3

长度 - 2.1 mm

宽度 - 1.24 mm

高度 - 0.85 mm

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99