MSD42SWT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 150 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MSD42SWT1引脚图与封装图
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在线购买MSD42SWT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MSD42SWT1 | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor | 搜索库存 |
替代型号MSD42SWT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MSD42SWT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 300V 150mA | 当前型号 | NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor | 当前型号 |
| 型号： MSD42SWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 300V 150mA | 完全替代 | NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor | MSD42SWT1和MSD42SWT1G的区别 |