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BQ4015YMA-70、DS1250Y-70+、M48Z512AY-70PM1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4015YMA-70 DS1250Y-70+ M48Z512AY-70PM1

描述 512Kx8非易失SRAM 512Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-70+  芯片, 存储器, NVRAM5V,4M位,ZEROPOWER SRAM,内嵌电池

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 50 mA - 115 mA

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns

内存容量 500000 B 500000 B 500000 B

存取时间(Max) 70 ns - 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

负载电容 - - 100 pF

耗散功率 - - 1.00 W

针脚数 - 32 -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

长度 - 44.2 mm 43.18 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 10.92 mm 9.52 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

ECCN代码 EAR99 - EAR99