BCR185S、DTA114ESA、MUN2237T1G对比区别
型号 BCR185S DTA114ESA MUN2237T1G
描述 PNP Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)数字晶体管（内置电阻） Digital transistors (built-in resistors)NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Surface Mount
封装 - SPT SOT-23-3
引脚数 - - 3
封装 - SPT SOT-23-3
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 100 mA
无卤素状态 - - Halogen Free
极性 - - NPN
耗散功率 - - 0.338 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 50 V
集电极最大允许电流 - - 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 10V
额定功率(Max) - - 338 mW
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 338 mW
ECCN代码 - - EAR99