SPI07N60S5、STB6NK60Z-1、STI13NM60N对比区别

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型号 SPI07N60S5 STB6NK60Z-1 STI13NM60N

描述 酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technologyN沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 7.30 A - -

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 83 W 110W (Tc) 90 W

输入电容 970 pF 905 pF -

栅电荷 35.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.30 A - 11A

上升时间 40 ns 14 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 970pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 83 W 110 W 90 W

下降时间 20 ns 19 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.28 Ω

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 600 V

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 90W (Tc)

长度 10.2 mm - 10.4 mm

宽度 4.5 mm - 4.6 mm

高度 9.45 mm - 10.75 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 - - NLR