
额定电压DC 650 V
额定电流 7.30 A
极性 N-CH
耗散功率 83 W
输入电容 970 pF
栅电荷 35.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 970pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPI07N60S5 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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