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SPI07N60S5

SPI07N60S5

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
SPI07N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

极性 N-CH

耗散功率 83 W

输入电容 970 pF

栅电荷 35.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 970pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPI07N60S5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPI07N60S5 Infineon 英飞凌 酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 搜索库存
替代型号SPI07N60S5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPI07N60S5

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-262 N-CH 600V 7.3A 970pF

当前型号

酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

当前型号

型号: SPI07N60C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-262-3 N-CH 650V 7.3A

类似代替

新的革命高电压技术,超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge

SPI07N60S5和SPI07N60C3的区别

型号: STI13NM60N

品牌: 意法半导体

封装: TO-262 N-Channel 600V 11A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

SPI07N60S5和STI13NM60N的区别

型号: STB6NK60Z-1

品牌: 意法半导体

封装: I2PAK

功能相似

N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

SPI07N60S5和STB6NK60Z-1的区别