BC858BLT1G、BC858BWT1G、BC859BLT1G对比区别

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型号 BC858BLT1G BC858BWT1G BC859BLT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC858BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

针脚数 3 3 -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 225 mW 150 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 150 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 100 220 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW 300 mW

长度 2.9 mm 2.2 mm -

宽度 1.3 mm 1.35 mm -

高度 0.94 mm 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -