BC858BLT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, Industrial, Power Management, Automotive, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC858BLT1G引脚图与封装图 
BC858BLT1G引脚图
BC858BLT1G封装图
BC858BLT1G封装焊盘图
在线购买BC858BLT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC858BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC858BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号BC858BLT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858BLT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC858BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC858BWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -30V -100mA 150mW | 类似代替 | PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BC858BLT1G和BC858BWT1G的区别 |
| 型号： BC858BLT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW | 类似代替 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | BC858BLT1G和BC858BLT3G的区别 |
| 型号： NSVBC858BLT1G 品牌： 安森美 封装： TO-236 PNP 0.3W | 类似代替 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | BC858BLT1G和NSVBC858BLT1G的区别 |