DTC124EET1G、FJV3103RMTF、DTC124EETL对比区别

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型号 DTC124EET1G FJV3103RMTF DTC124EETL

描述 NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。Fairchild Semiconductor### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN 100毫安50V数字晶体管 NPN 100mA 50V Digital Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SOT-23-3 SOT-416-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN NPN N-Channel, NPN

耗散功率 0.3 W 200 mW 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 56 @5mA, 5V 56 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 60 56 -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 200 mW 150 mW

增益带宽 - 200 MHz 250 MHz

额定功率 - - 0.15 W

长度 1.65 mm 2.92 mm 1.6 mm

宽度 0.9 mm 1.3 mm 0.8 mm

高度 0.8 mm 0.93 mm 0.7 mm

封装 SC-75-3 SOT-23-3 SOT-416-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃