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FJV3103RMTF

FJV3103RMTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 56 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=4.7KΩ, R2=4.7KΩ • Complement to FJV4103R 描述与应用| 特性 •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=4.7KΩ) •FJV4103R的补充

FJV3103RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 56

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJV3103RMTF引脚图与封装图
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在线购买FJV3103RMTF
型号 制造商 描述 购买
FJV3103RMTF Fairchild 飞兆/仙童 Fairchild Semiconductor ### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 搜索库存
替代型号FJV3103RMTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJV3103RMTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 200mW

当前型号

Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

当前型号

型号: DTC124EET1G

品牌: 安森美

封装: SC-75 NPN 50V 100mA 300mW

功能相似

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

FJV3103RMTF和DTC124EET1G的区别

型号: MMUN2212LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2212LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

FJV3103RMTF和MMUN2212LT1G的区别

型号: MMUN2234LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

功能相似

偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor

FJV3103RMTF和MMUN2234LT1G的区别